- tilbage
- Beskrivelse af
- Tekniske data
- Specifikation af huller
- Forarbejdning
- Downloads
- Forespørgsel på lager
VarPol stikprofil, lige, 1-rækket Vare nr. 971-nn011-b1
Billede, der ligner
Parallel
Press-fit-teknologi
- Længde på stikenden (Y) = 8,0 mm
- Press-fit-teknologi
- Tilslutningslængde 3,4 mm
- Antal poler: 2–36 (antal poler pr. række svarer til »nn« i varenummeret)
- 1-rækket
- b i varenummeret angiver kvalitetsklassen for stikenden
Tekniske data
Grundlæggende
| Antal kontakter | 2 - 36 |
|---|---|
| Forbindelsesteknologi | Press-fit-teknologi |
| Tilslutningslængde | 3,4 mm |
| PCB-afstand | 14,45 mm – 18,45 mm |
| Driftstemperatur | -55 °C til +125 °C |
Materiale
| Isolerende krop | PBT, glasfiberforstærket, UL 94 V-0 |
|---|---|
| Kontaktmateriale | Kobberlegering |
Mekanisk
| Gitterdimension | 2,54 mm |
|---|---|
| Indføringskraft pr. kontakt | maks. 0,9 N |
| Trækkraft pr. kontakt | min. 0,6 N |
Elektrisk
| Driftsstrøm | maks. 1,9 A |
|---|---|
| Driftsspænding | 150 V |
| Kontaktmodstand | < 20 mΩ |
| Luft- og krybeafstand | 1,2 mm |
| Isolationsmodstand | >106 MΩ |
Godkendelser/overensstemmelse
| UL-fil | E130314 |
|---|---|
| Miljø | Overholder RoHS-direktivet |
Specifikation af huller
| Material | chem. Sn Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 1.0 mm |
| A Leiterplattendicke | min. 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 1.0 +0.09 / -0.06 mm |
| C Grundbohrung | 1.15 ±0.025 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | chem. Sn Schicht, max. 1.5 µm |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | Ni, Au Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 1.0 mm |
| A Leiterplattendicke | min. 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 1.0 +0.09 / -0.06 mm |
| C Grundbohrung | 1.15 ±0.025 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | Ni, Au Schicht, 0.05 - 0.2 µm Au über 2.5 - 5 µm Ni |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | rein Cu Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 1.0 mm |
| A Leiterplattendicke | min. 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 1.0 +0.09 / -0.06 mm |
| C Grundbohrung | 1.15 ±0.025 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | OSP, z.B. GLICOAT-SMD (F2) mit 0.12 - 0.15 µm |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | HAL Sn Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 1.0 mm |
| A Leiterplattendicke | min. 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 1.0 +0.09 / -0.06 mm |
| C Grundbohrung | 1.15 ±0.025 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | HAL Sn, 5 - 15 µm |
| F Restring | min. 0.1 mm |
Lagstruktur i henhold til IEC 60352-5
